一、半導體清洗用超純水設備概述

半導體清洗用超純水設備主要應用在半導體清洗行業，該設備采用先進的反滲透技術和ED1技術，保證設備的質量和出水水質。該設備整體采用先進的不銹鋼材質，抗腐蝕能力強，同時也不會出現生銹問題，質量可靠，受到用戶的一致好評。

二、半導體清洗用超純水設備工作原理

EDI裝置將離子交換樹脂充夾在陰／陽離子交換膜之間形成EDI單元，EDI工作原理如下圖所示，EDI組件中將一定數量的EDI單元間用網狀物隔開，形成濃水室。又在單元組兩端設置陰／陽電極。在直流電的推動下，通過淡水室水流中的陰陽離子分

別穿過陰陽離子交換膜進入到濃水室面在淡水室中去除。而通過濃水室的水將離子帶出系統，成為濃水，ED1設備一般以反滲透（RO)純水作為EDI給水．RO純水電導率一般是40-2μ S/cm(25℃).

EDI純水電阻率可以高達18MQ.cm(25℃),但是根據去離子水用途和系統配置設置，EDI純水適用于制備電阻率要求在

1-18. 2MΩ.cm(25℃)的純水。

三、半導體清洗用超純水設備制備工藝

1、預處理系統→反滲透系統一中間水箱→粗混合床→精混合床→純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→拋光混床→精密過濾器→用水點。（≥18MΩ.C0(傳統工藝）

2、預處理→反滲透→中間水箱→水泵→ED1裝置→純化水

箱一辣水系一紫外線殺菌器一隨光溉床→0. 2或0. 5μ=精密過濾器→用水點。（＊18MΩ.CM(最新工藝）

3、預處理→一級反滲透→加藥機（PH調節）→中間水箱→第

二級反滲透（正電荷反滲膜）→純水箱→純水泵→EDI裝置→紫外

線殺菌器→0. 2或0. 5μm精密過濾器→用水點。（≥17MΩ.00(最新工藝）

4、預處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置一純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→0. 2或0. 5μ=精密過濾器→用水點。

（≥15Ω.00(最新工藝）

5、預處理系統一反涉透系統一中間水箱→純水泵一相混合

床→精混合床→紫外線殺菌器一精密過濾器一用水點。（≥15MΩ.CD(傳統工藝）